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FQB15P12	文件：333.09 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
EMP15P12D
功能描述：
POWER MODULE 3PHASE 15A 1200V
RoHS：
否
类别：
半导体模块 >> 功率驱动器
系列：
-
标准包装：
15
系列：
SPM®
类型：
FET
配置：
三相反相器
电流：
1.8A
电压：
500V 电压 -
隔离：
1500Vrms
封装/外壳：
23-DIP 模块

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMP15P12D供应商更新时间2025-7-27 8:24:00

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