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IRFH5302PBF	文件：784.89 Kbytes Page：10 Pages	OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFH5302TRPBF	文件：215.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFH5302TRPBF	文件：784.89 Kbytes Page：10 Pages	OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
K5302	文件：93.51 Kbytes Page：6 Pages	AntistaticRingBinder	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
KSC5302D	文件：101.85 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication •HighBreakdownVoltage:BVCBO=800V •Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation •SuitableforhalfbridgelightballastApplications •NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespread	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5302DI	文件：98.02 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage&HighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltage&HighSpeedPowerSwitchApplication •Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperationSuitableforhalf-bridgelightballastApplications •NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespreadeventhoughcornerspirit •Lowbase	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5302DI	文件：299.61 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=400V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=0.4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSC5302DM	文件：100.69 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage&HighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltage&HighSpeedPowerSwitchApplication •HighbreakdownVoltage:BVCBO=800V •Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation •SuitableforhalfbridgelightballastApplications •NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespr	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5302DTU	文件：101.85 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication •HighBreakdownVoltage:BVCBO=800V •Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation •SuitableforhalfbridgelightballastApplications •NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespread	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LP5302	文件：722.94 Kbytes Page：7 Pages	OverVoltageandOverCurrentProtectionIC	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半导体微源半导体股份有限公司	POWER

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