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BB181	文件：139.98 Kbytes Page：2 Pages	VHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB181isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnologyandencapsulatedintheSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES •Excellentlinearity •UltrasmallplasticSMDpackage •C28:1pF;ratio:14. APPLICATIONS •Electronictuninginsatelli	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB181	文件：69.09 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB181isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnologyandencapsulatedintheSOD523(SC-79)ultrasmallplasticSMDpackage. FEATURES •Excellentlinearity •UltrasmallplasticSMDpackage •C28:1pF;ratio:14. APPLICATIONS •Electronictuninginsatelli	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB181LX	文件：49.66 Kbytes Page：7 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB181LXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage. Features ■Excellentlinearity ■UltrasmallleadlessSMDpackage ■Cd(28V):1pF;ratio:14 Applications ■VoltageControlledOscillators(VCO) ■Elect	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB181LX	文件：56.73 Kbytes Page：7 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB181LXisaplanartechnologyvariablecapacitancediodeinaSOD882TultrasmallleadlessplasticSMDpackage. Features ■Excellentlinearity ■UltrasmallleadlessSMDpackage ■Cd(28V):1pF;ratio:14 Applications ■VoltageControlledOscillators(VCO) ■Elect	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC181	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD181	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD181	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BD181	文件：166.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-POWERSILICONNPNTRANSISTORS High-PowerSiliconN-P-NTransistors BroadlyApplicableDevices ForCommercialUse Features: ■Maximumsafe-area-of-operationcurves ■Lowsaturationvoltages ■Highdissipationratings	GE GE Industrial Company	GE
BF181	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	NPNTRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	Electricalcharacterlitics GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BF181	文件：2.17749 Mbytes Page：29 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF181	文件：127.97 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFP181	文件：79.2 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181	文件：553.73 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181	文件：79.29 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181	文件：60.99 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP181R	文件：58.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP181R	文件：88.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA •fT=8GHz F=1.45dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP181T	文件：266.17 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC andWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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产品属性

产品编号：
ELJ-FB181JF
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
FB
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
绕线
容差：
±5%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
13 欧姆最大
不同频率时 Q 值：
40 @ 1.5MHz
频率 - 自谐振：
5.1MHz
工作温度：
-20°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
1812（4532 公制）
供应商器件封装：
1812
大小 / 尺寸：
0.177" 长 x 0.126" 宽（4.50mm x 3.20mm）
描述：
FIXED IND 180UH 85MA 13 OHM SMD

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