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FZT851QTA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851TA	文件：455.05 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT851TA	文件：351.83 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
GI851	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI851	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI851	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
INA851	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA851	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA851	文件：2.07758 Mbytes Page：28 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) •Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol •Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA851	文件：3.38238 Mbytes Page：42 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V •Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol •Faster	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
EL851S(TA)-V
制造商：
EVERLIGHT
制造商全称：
Everlight Electronics Co., Ltd
功能描述：
4 PIN DIP HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	EL851S(TB)-F	EVERLIG	23+	SMD4	60000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市中福国际管理有限公司	EL851S(TB)-F	EVERLIG	20+	SMD4	60000	进口原装现货,假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	EL851S(TB)-F	EVERLIG	21+	SMD4	60000	原装现货假一赔十	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	EL851S(TD)-F	EVERLIG	23+	SMD4	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
深圳市振宏微科技有限公司	EL851S(TD)-F	EVERLIG	23+	SMD4	28000	原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	EL851S(TD)-F	EVERLIG	23+	SMD4	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	EL851S1	EVERLIG	21+	SMD4	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
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更多EL851S(TA)-V供应商更新时间2025-6-23 13:01:00

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