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EFC4K110NUZ分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
厂商型号 |
EFC4K110NUZ |
参数属性 | EFC4K110NUZ 封装/外壳为10-SMD,无引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列;产品描述:NCH 24V 25A WLCSP DUAL |
功能描述 | MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24 V, 2.95 m, 25 A |
文件大小 |
199.14 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-23 14:56:00 |
EFC4K110NUZ规格书详情
EFC4K110NUZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列。安森美半导体公司制造生产的EFC4K110NUZ晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
产品属性
更多- 产品编号:
EFC4K110NUZTDG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型:
2 N 沟道(双)共漏
- FET 功能:
标准
- 漏源电压(Vdss):
24V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
25A
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
49nC @ 4.5V
- 功率 - 最大值:
2.5W
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
10-SMD,无引线
- 供应商器件封装:
10-WLCSP(3.2x2.1)
- 描述:
NCH 24V 25A WLCSP DUAL
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
XFLGA4 |
68900 |
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询价 | |||
ON Semiconductor |
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6EFCP (2.7x1.81) |
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ON/安森美 |
标准封装 |
58250 |
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ON/安森美 |
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ON |
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SMD |
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