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EFC4612R	文件：290.39 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 2.5V drive • Built-in gate protection resistor • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance 文件：290.39 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC4612R	文件：272.33 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • 2.5V drive • Built-in gate protection resistor • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance 文件：272.33 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EFC4612R-S	文件：768.13 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. Features • 2.5 V drive • Common-Drain type • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free 文件：768.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC4612R-S-TR	文件：768.13 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. Features • 2.5 V drive • Common-Drain type • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen Free 文件：768.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC4612R-TR	文件：290.39 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 2.5V drive • Built-in gate protection resistor • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance 文件：290.39 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC4612R-TR	文件：209.36 Kbytes Page：5 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • 2.5V drive • Built-in gate protection resistor • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance 文件：209.36 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC4612R	文件：391.62 Kbytes Page：8 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：391.62 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EFC4612R	文件：272.39 Kbytes Page：5 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：272.39 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EFC4612R_10	文件：272.39 Kbytes Page：5 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：272.39 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EFC4612R_12	文件：391.62 Kbytes Page：8 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：391.62 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO

详细参数

型号：
EFC4612
功能描述：
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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