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BB106A	文件：163.33 Kbytes Page：1 Pages	SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiers •Forlinearbroadbandamplifiers •Specialapplication:antennaamplifiers •Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •HighlinearitylownoiseRFtransistor •22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA •ForUHF/VHFapplications •Driverformultistageamplifiers •Forlinearbroadbandandantennaamplifiers •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGF106C	文件：571.4 Kbytes Page：7 Pages	SIMCardInterfaceFilterandESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BR106	文件：60.51 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
BR106	文件：42.94 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGE：50-1000VCURRENT：10.0A FEATURES •Surgeoverloadratings-250Amperes •Lowforwardvoltagedrop	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
BR106	文件：23.02 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BR106	文件：145.32 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	BYTES Bytes	BYTES
BR106	文件：581.65 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-10Amperes FEATURES Surgeoverloadrating:200Amperespeak Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BR106	文件：119.96 Kbytes Page：2 Pages	10ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BR106	文件：29.97 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BR106	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark

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详细参数

型号：
EDB106C
功能描述：
桥式整流器 1A 400V 50ns GP
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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