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ECH8619-TL-E_SANYO/三洋_MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8安富世纪一部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:ECH8619-TL-E
- 生产厂家
:安森美
- FET 功能
:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss)
:60V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:3A,2A
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:93 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:12.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:560pF @ 20V
- 功率 - 最大值
:1.5W
- 工作温度
:150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装
:8-ECH
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