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ECH8619-TL-E中文资料三洋数据手册PDF规格书

ECH8619-TL-E
厂商型号

ECH8619-TL-E

功能描述

High-Current Switching Applications

文件大小

44.52 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Sanyo Semicon Device
企业简称

SANYO三洋

中文名称

三洋电机株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-30 20:00:00

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ECH8619-TL-E规格书详情

High-Current Switching Applications

Applications

• DC-DC converters relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.

Features

• Adoption of FBET, MBIT processes.

• High current capacitance.

• Low collector-to-emitter saturation voltage.

• High-speed switching.

• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm).

• High allowable power dissipation.

产品属性

  • 型号:

    ECH8619-TL-E

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO/三洋
24+
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300
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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