ECH8315中文资料P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-7.5A，25mΩ数据手册ONSEMI规格书
ECH8315规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements.
特性 Features
• Low On-Resistance
• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses. Reduces Heat Dissipation
• ESD Diode-Protected Gate
• ESD Resistance
• RoHS compliance
• Environmental Consideration
• 4.0V drive
应用 Application
• Load Switch
• Protection Switch for Lithium-ion Battery
• Motor Driver
• Digital Still Camera, Wireless speaker
• Inkjet Printer, Fan Motor , LiB Charger
技术参数
- 制造商编号
：ECH8315
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.6
- ID Max (A)
：-7.5
- PD Max (W)
：1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：44
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：25
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ciss Typ (pF)
：875
- Package Type
：SOT-28 FL/ECH-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
ECH |
20948 |
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onsemi |
25+ |
SOT-28FL/ECH8 |
18798 |
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ON |
2016+ |
ECH-8 |
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ON |
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ECH-8 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
ECH-8 |
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ON/安森美 |
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ON |
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ECH8 |
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ON/安森美 |
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ECH-8 |
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ON/安森美 |
1701 |
ECH-8 |
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