| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳立科技有限公司6年
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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onsemi3-XFDFN |
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EC3H02BA-TL-H中文资料Alldatasheet PDF
更多EC3H02BA-TL-H功能描述:TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极(Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
产品属性
- 产品编号：
EC3H02BA-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB @ 1GHz
- 增益：
8.5dB
- 功率 - 最大值：
100mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 20mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
ECSP1006-3
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
