选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司8年
留言
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DIODESSOT223-4 |
7500 |
2212+ |
公司主营DIODESI.MICRON.NXP现货经营只做原装假一罚十0755-23941053 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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DIODES/美台SOT223 |
158929 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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161228 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
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918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES美台SOT-223 |
37048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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DIODES美台SOT-223 |
41316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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DIODES/美台SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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DIODES(美台)SOT-223 |
164 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT223 |
158990 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Diodes IncorporatedTO-261-4,TO-261AA |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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DIODES/美台SOT-223-4 |
5194 |
23+ |
原装现货,专业配单专家 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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DIODESSOT-223-4 |
5480 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市富利微电子科技有限公司9年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
25000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
75000 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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DIODES(美台)* |
12561 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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DiodesZetex双极型晶体管 |
5864 |
23+ |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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DIODES/美台SOT-223 |
6000 |
2023+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
DZT5551-13采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
DZT5551-13图片
DZT5551-13价格
DZT5551-13价格:¥0.6475品牌:Diodes
生产厂家品牌为Diodes的DZT5551-13多少钱,想知道DZT5551-13价格是多少?参考价:¥0.6475。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,DZT5551-13批发价格及采购报价,DZT5551-13销售排行榜及行情走势,DZT5551-13报价。
DZT5551-13中文资料Alldatasheet PDF
更多DZT5551-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000mW 160Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
DZT5551-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3