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EC2C01	文件：725.43 Kbytes Page：1 Pages	5TO6WATTDC-DCCONVERTERS	RSGRSG Electronic Components GmbH RSG电子元件有限公司	RSG
EC2C01C	文件：20.09 Kbytes Page：3 Pages	VCXO&VHFBandVCOApplicationsVaractorDiode SiliconDiffused-JunctionType Features •Highcapacitanceratio.CR(C1.0V/C4.0V)=5.0typ •Ultrasmall-sizedpackage(1008),slimpackage (0.6mm),leadlesspackage.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
HN2C01FE	文件：190.29 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120to400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2C01FU	文件：156.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2C01FU	文件：231.02 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
MMDF2C01HD	文件：349.09 Kbytes Page：16 Pages	ComplementarySO??,DualPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDF2C01HD	文件：372.12 Kbytes Page：12 Pages	COMPLEMENTARYDUALTMOSPOWERFET2.0AMPERES12VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts ComplementaryTMOSFieldEffectTransistors MiniMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.The	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
EC2C01C-TR
功能描述：
DIODE VARACTOR 15V ECSP1008-2
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）
系列：
-
产品变化通告：
Product Discontinuation 08/Dec/2009
标准包装：
3,000
系列：
- 电容@ Vr,
F：
13.5pF @ 4.5V，1MHz
电容比：
5.41
电容比条件：
C1/C4.5 电压 -
峰值反向(最大)：
12V
二极管类型：
单一在 Vr、F 时的 Q
值：
-
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-79，SOD-523
供应商设备封装：
PG-SC79-2
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000013483

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