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BCR198S	文件：43.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR198S	文件：872.88 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BCR198W	文件：491.4 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BF198	文件：301.65 Kbytes Page：1 Pages	PNPOUTPUTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BF198	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL CDIL	CDIL
BFG198	文件：95.83 Kbytes Page：12 Pages	NPN8GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT223envelope,intendedforwidebandamplifierapplications. Thedevicefeaturesahighgainandexcellentoutputvoltagecapabilities.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG198	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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