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FMP2011	文件：621.17 Kbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheFMP2011usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltage. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchingapplicationandawidevarietyofotherapplications. DS(on), FEATURES AdvancedtrenchMOSFETprocesst	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FMS2011	文件：373.9 Kbytes Page：6 Pages	SP6TGaAsMulti-BandGSMAntennaSwitch	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
FT2011	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
ft2011A	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
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ft2011N	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
ft2011P	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
FTD2011	文件：69.81 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications LoadSwitchingApplications Features •LowONresistance. •2.5Vdrive. •Mountingheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTD2011	文件：80.12 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET ■Features ●RDS(ON)=30mΩMax.@VGS=4V ●RDS(ON)=45mΩMax.@VGS=2.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FTD2011A	文件：52.84 Kbytes Page：4 Pages	NCHANNELMOSSILICONTRANSISTOR LoadSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •2.5Vdrive. •Mountingheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
EB2011PG-CF
制造商：
NKK
制造商全称：
Nihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.
功能描述：
Light Touch Miniature Pushbuttons

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更多EB2011PG-CF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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