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ft2011A	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3W Low EMI Class-D Audio Power Amplifier with Auto-Recovering Short-Circuit Protection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
ft2011M	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
ft2011N	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
ft2011P	文件：841.62 Kbytes Page：21 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection	FANGTEKFangtek Ltd. 方泰电子科技上海方泰电子科技有限公司	FANGTEK
FTD2011	文件：69.81 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications LoadSwitchingApplications Features •LowONresistance. •2.5Vdrive. •Mountingheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTD2011	文件：80.12 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET ■Features ●RDS(ON)=30mΩMax.@VGS=4V ●RDS(ON)=45mΩMax.@VGS=2.5V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FTD2011A	文件：52.84 Kbytes Page：4 Pages	NCHANNELMOSSILICONTRANSISTOR LoadSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •2.5Vdrive. •Mountingheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FTS2011	文件：41.12 Kbytes Page：4 Pages	LoadSwitchingApplications Features •LowONresistance. •2.5Vdrive. •Mountingheight1.1mm.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FWA-2011	文件：479.25 Kbytes Page：2 Pages	1URackmountNetworkAppliancewithIntel®Atom™X5-E3940Processorand6GbEports Features SupportsIntel®E3940processor TwoDDR3L1333/1600/1867MHz,upto16GB SixGbELANportswith2segmentsLANbypass OnemSATASlot Supportsonefixed3.5SATAHDDbay OneNMCslotfor4portsEthernetcardexpansion OneMini-PCIEslot	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
G2011	文件：80.18 Kbytes Page：1 Pages	2-ChannelDCMotorDriverforToy	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT

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