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FJV3102R	文件：163.49 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistorwithBiasResistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) •ComplementtoFJV4102R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV3102R	文件：241.4 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistorwithBiasResistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJV3102RMTF	文件：163.49 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistorwithBiasResistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) •ComplementtoFJV4102R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMV3102	文件：35.61 Kbytes Page：1 Pages	SILICONPLANARVARIABLECAPACITANCEDIODE SOT23SILICONPLANARVARIABLECAPACITANCEDIODE	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
G3102	文件：864.09 Kbytes Page：1 Pages	0.9DualSPSTAnalogSwitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GCA3102	文件：2.85726 Mbytes Page：54 Pages	Inhaltsverzeichnis	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
GD-RFP3102U	文件：837.96 Kbytes Page：2 Pages	LÁMPARADEDESINFECCIÓNLEDGO-UVC10W Descripción: LámparadedesinfecciónLEDGO-UVC10W Eficienteyportátil:índiceantibacteriano99.9% Seguridad:NoProduceOzono(ceroozono) Largaduración:Vidaútildelalámpara4000horas. Eliminaolores,partículasdepolvoygérmenesquepuedencausaralergias,asmayotr	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
HFA3102	文件：54.24 Kbytes Page：6 Pages	DualLong-TailedPairTransistorArray TheHFA3102isanallNPNtransistorarrayconfiguredasdualdifferentialamplifierswithtailtransistors.BasedonIntersilbondedwaferUHF-1SOIprocess,thisarrayachievesveryhighfT(10GHz)whilemaintainingexcellenthFEandVBEmatchingcharacteristicsovertemperature.Collectorleaka	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3102	文件：208.47 Kbytes Page：8 Pages	DualLong-TailedPairTransistorArray	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HFA3102	文件：391.52 Kbytes Page：7 Pages	DualLong-TailedPairTransistorArray TheHFA3102isanallNPNtransistorarrayconfiguredasdualdifferentialamplifierswithtailtransistors.BasedonIntersilbondedwaferUHF-1SOIprocess,thisarrayachievesveryhighfT(10GHz)whilemaintainingexcellenthFEandVBEmatchingcharacteristicsovertemperature.Collectorleaka	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
E3102CAAAA
制造商：
Arcolectric

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多E3102CAAAA供应商更新时间2025-5-19 16:06:00

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