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E28F010-90	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s 28F010 CMOS flash memory offers the most cost-effective and reliable alternative for read/write random access nonvolatile memory. The 28F010 adds electrical chip-erasure and reprogramming to familiar EPROM technology. Memory contents can be rewrit 文件：405.78 Kbytes 页数：30 Pages	INTEL 英特尔	INTEL
E28F010-90	文件：895.48 Kbytes Page：33 Pages	28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY 文件：895.48 Kbytes 页数：33 Pages	INTEL 英特尔	INTEL
F28F010-90	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s 28F010 CMOS flash memory offers the most cost-effective and reliable alternative for read/write random access nonvolatile memory. The 28F010 adds electrical chip-erasure and reprogramming to familiar EPROM technology. Memory contents can be rewrit 文件：405.78 Kbytes 页数：30 Pages	INTEL 英特尔	INTEL
IS28F010-90PL	文件：695.87 Kbytes Page：18 Pages	131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.87 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS28F010-90PLI	文件：695.87 Kbytes Page：18 Pages	131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.87 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多E28F010-90供应商更新时间2026-1-20 10:19:00