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E28F020-120	文件：878.8 Kbytes Page：38 Pages	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s 28F020 CMOS flash memory offers the most cost-effective and reliable alternative for read/write random access nonvolatile memory. The 28F020 adds electrical chip-erasure and reprogramming to familiar EPROM technology. Memory contents can be rewritten: in a test socket; in a PROM-programmer 文件：878.8 Kbytes 页数：38 Pages	Intel 英特尔	Intel
E28F020-120	文件：300 bytes Page：1 Pages	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY	Intel 英特尔	Intel
IS28F020-120PL	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144 x 8 CMOS FLASH MEMORY 262,144 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.25 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS28F020-120PLI	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144 x 8 CMOS FLASH MEMORY 262,144 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.25 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS28F020-120T	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144 x 8 CMOS FLASH MEMORY 262,144 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.25 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多E28F020-120供应商更新时间2025-12-1 15:07:00