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INA233	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
INA233AIDGSR	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
INA233AIDGST	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
IRF233	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF233	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF233	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

详细参数

型号：
E233-SERIES
功能描述：
Peripheral IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	E234	TOREX	24+	SOT23-6	170		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	E234	GILWAY	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市创新迹电子有限公司	E234156SL-D	N/A	23+		80000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	E234156SL-D	N/A	23+		80000	专注配单,只做原装进口现货	询价
艾睿国际（香港）有限公司	E23-433M13S	EBYTE(亿佰特)	2447	SMD	31500	300个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长	询价
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惠芯易购（深圳）科技有限公司	E23-433M13S	EBYTE(亿佰特)	25+	SMD	4258	原装正品价格优势	询价
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深圳市恒佳微电子有限公司	E234I	MPD	2021+	SIP	11000	十年专营原装现货,假一赔十	询价

更多E233-SERIES供应商更新时间2025-5-17 10:50:00

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