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PJE8406_R1_00001	文件：418.89 Kbytes Page：6 Pages	Marking：E06；Package：SOT-523；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Features RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4Ω RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7Ω RDS(ON),VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2Ω(typ) AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforLoadSwitchorPWMapplication. ESDProtected LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 Greenmoldingco	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
NB2779A	文件：116.4 Kbytes Page：8 Pages	Marking：E06***；Package：SOT-26；Low Power, Reduced EMI Clock Synthesizer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
WE060NG	文件：1.46601 Mbytes Page：5 Pages	Marking：E060N；Package：SOT-89；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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制造商上传企业

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PJE8406_R1_00001

文件：418.89 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：E06；Package：SOT-523；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected

Features RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4Ω RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7Ω RDS(ON),VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2Ω(typ) AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforLoadSwitchorPWMapplication. ESDProtected LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 Greenmoldingco

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

NB2779A

文件：116.4 Kbytes

Page：8 Pages

Marking：E06***；Package：SOT-26；Low Power, Reduced EMI Clock Synthesizer

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

WE060NG

文件：1.46601 Mbytes

Page：5 Pages

Marking：E060N；Package：SOT-89；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

详细参数

型号：
E06
制造商：
FIIO ELECTRONICS
功能描述：
PORTABLE HEADPHONE AMPLIFIER HEADPHONE LEVEL INPUT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博浩通科技有限公司	E06110D0A	进口原装	23+	9302	1424	全新原装现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	E06150S2A	EPSON	23+	TQFP100	5000	原装正品,假一罚十	询价

更多E06供应商更新时间2025-7-15 15:48:00

详细参数

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