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E-ULQ2003A

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

STMICROELECTRONICS

意法半导体

F2003

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime

文件:37.6 Kbytes 页数:2 Pages

POLYFET

F2003ERW

Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters

Key Features: • 20W Output Power • 2:1 Input Voltage Range • 1,500 VDC Isolation • Single & Dual Outputs • Efficiency to 86 • Compact 1.6 x 2 In. Case • -40°C to +71°C Operation • Industry Standard Pin-Out • Lowest Cost!!

文件:225.6 Kbytes 页数:2 Pages

MPD

F2003ERW

F2000ERW SERIES

文件:217.73 Kbytes 页数:2 Pages

MPD

产品属性

  • 产品编号:

    E-ULQ2003A

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    7 NPN 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 500µA,350mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 350mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 描述:

    TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

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更多E-ULQ2003A供应商 更新时间2026-3-16 23:00:00