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E-L6386D

Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

E-L6386D013TR

Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

EPE6386G

10Base-T Interface Module

文件:142.12 Kbytes 页数:1 Pages

PCA

L6386

HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

DESCRIPTION The L6386 is an high-voltage device, manufactured with the BCD ”OFF-LINE” technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced Channel Power MOS or IGBT. The Upper (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CM

文件:80.04 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

L6386AD

High-voltage high and low side driver

Description The L6386AD is an high-voltage device, manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It has a driver structure that enables to drive independent referenced Channel Power MOS or IGBT. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600 V. The Logic Inputs

文件:208.31 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    E-L6386D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    17V(最大)

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.5V,3.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    400mA,650mA

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    50ns,30ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    14-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多E-L6386D供应商 更新时间2025-11-4 15:24:00