DZT853中文资料NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DZT853 |
| 参数属性 | DZT853 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 |
| 功能描述 | NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 8:31:00 |
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DZT853规格书详情
简介
DZT853属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的DZT853晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
DZT853-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
340mV @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES |
2016+ |
SOT223 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
Diodes Inc |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT223 |
990000 |
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DIODES |
23+ |
SOT-223 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT-223 |
100000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
255 |
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DIODES |
24+ |
SOT-223 |
80000 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT223 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
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SOT223 |
23+ |
NA |
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