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NVB5860N

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVB5860N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=220A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NVB5860NL

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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MURATA/村田
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更多DXTP5860CFDB供应商 更新时间2025-7-24 11:06:00