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DXTN5860DFDB-7

包装:卷带(TR) 封装/外壳:3-UDFN 裸露焊盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

产品属性

  • 产品编号:

    DXTN5860DFDB-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    315mV @ 300mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    280 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    115MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    U-DFN2020-3(B 类)

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Diodes Incorporated
24+
3-UDFN 裸露焊盘
9350
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DIODES/美台
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DIODES/美台
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更多DXTN5860DFDB-7供应商 更新时间2024-6-8 15:00:00