DTD713ZE中文资料Digital transistor(with built-in resistors)数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
DTD713ZE |
| 参数属性 | DTD713ZE 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
| 功能描述 | Digital transistor(with built-in resistors) |
| 封装外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 14:09:00 |
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DTD713ZE规格书详情
特性 Features
•标准的数字晶体管
简介
DTD713ZE属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的DTD713ZE晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
：DTD713ZE
- 生产厂家
：ROHM
- Status
：新设计非推荐
- 封装
：EMT3
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Grade
：Standard
- Package Code
：SOT-416
- JEITA Package
：SC-75A
- Package Size[mm]
：1.6x1.6 (t=0.7)
- Number of terminal
：3
- Polarity
：NPN
- Supply voltage VCC 1[V]
：30.0
- Collector current Io (Ic) [A]
：0.2
- Input resistance R1 1 [kΩ]
：1.0
- Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]
：10.0
- Power Dissipation (PD)[W]
：0.15
- Mounting Style
：Surface mount
- GI hFE
：140 to
- Output Current [A]
：0.2
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
23+ |
VMT3 |
18083 |
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ROHM |
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ROHM/罗姆 |
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SOT-416 |
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NA |
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ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT523 |
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23+ |
SOT-523 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT523 |
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询价 | |||
ROHM(罗姆) |
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SC-75A(SOT-416) |
105000 |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT523 |
50000 |
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