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DTD133HK数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

DTD133HK

参数属性

DTD133HK 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

功能描述

Digital transistors (Includes resistors)

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-10 13:02:00

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技术参数

  • 产品编号:

    DTD133HKT146

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    56 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SMT3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

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