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HVC133	文件：23.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC133A	文件：159.73 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133	文件：37.99 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD133	文件：76.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133A	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL133A	文件：63.76 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Feature •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL133A	文件：150.78 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU133	文件：23.03 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVU133	文件：173.37 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU133	文件：32.38 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=1.0pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
DTB133HS
制造商：
ROHM
制造商全称：
Rohm
功能描述：
Digital transistors(built-in resistors)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	DTB133HS	RHM	05+	原厂原装	1651	只做全新原装真实现货供应	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DTB133HV	ROHM/罗姆	23+	TO-92L	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
富凯科技(深圳）有限公司	DTB143E	UTC/友顺	24+	SOT-323	50000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
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更多DTB133HS供应商更新时间2025-5-21 15:45:00

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