DTB114G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTB114G |
| 参数属性 | DTB114G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST |
| 功能描述 | DIGITAL TRANSISTOR |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
704.49 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
| 人工找货 | DTB114G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DTB114G规格书详情
Features
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kΩ
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see inner circuit) .
3) Only the on/off conditions need to be set
for operation, making the circuit design easy.
4) Complementary NPN Types: DTC114E series
Application
INVERTER, INTERFACE, DRIVER
产品属性
- 产品编号：
DTB114GCT116
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
56 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SST3
- 描述：
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
SMD3P |
7350 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
3675 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ROHM |
2016+ |
SOT23 |
2600 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
13+ |
SOT-23 |
2151 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
BipolarTransistors-P |
880000 |
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询价 | ||
ROHM |
21+ |
SOT-23 |
100 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
9907 |
3000 |
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询价 |
