选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ONSOT-723 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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DiodesSOT-23-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
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ROHM(罗姆)SMT3 |
52490 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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ROHMSOT-723 |
16000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT-23 |
50000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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ROHM/罗姆SOT-323 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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CJSOT-23 |
15000 |
23+ |
现货库存,实单请给接受价格 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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ROHM原现SOT-323 |
6900 |
2138+ |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ROHM/罗姆SOT-23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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ROHMSOT323 |
446000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
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6389 |
16+17+ |
代理渠道正品-现货库存56 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
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ROHMSOT323 |
6000 |
22+ |
只做原装!现货库存! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ROHMNA |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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ROHMSOT-23 |
15000 |
21+ |
绝对原装公司现货欢迎询价 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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CJ |
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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ROHM/罗姆VMT3 |
1367 |
12+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
留言
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ROHMSOT-523 |
6680 |
10+ |
全新、原装 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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ROHMUMT3 (SOT-323) (SC-70) |
3000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市球芯贸易有限公司1年
留言
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ROHMSOT-23 |
685000 |
2022+ |
一站配单原装现货 |
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DTA143ZET1G价格
DTA143ZET1G价格:¥0.0940品牌:ONSemi
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更多DTA143E制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor
DTA143EA制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
DTA143ECA RF功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DTA143ECA-TP功能描述:TRANS PREBIASED PNP 200MW SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极(R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极(R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242
DTA143EE功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DTA143EE RK功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DTA143EEATL制造商:ROHM Semiconductor
DTA143EEBTL功能描述:TRAN DIGITL PNP 50V 100MA EMT3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极(R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极(R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242
DTA143EET1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DTA143EET1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel