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LDTA123EM3T5G	文件：191.19 Kbytes Page：11 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LDTC123EM3T5G	文件：180.04 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorsWithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LDTC123EM3T5G	文件：1.46991 Mbytes Page：14 Pages	BiasResistorTransistors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NSVDTA123EM3T5G	文件：176.35 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVDTA123EM3T5G	文件：103.89 Kbytes Page：11 Pages	PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVDTC123EM3T5G	文件：103.57 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=2.2k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVDTC123EM3T5G	文件：102.19 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
DTA123EM3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	DTA123EM3T5G	onsemi(安森美)	24+	SOT-723	6547	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多DTA123EM3T5G供应商更新时间2025-7-19 8:11:00

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