首页>DTA123EM3T5G>规格书详情

DTA123EM3T5G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DTA123EM3T5G
厂商型号

DTA123EM3T5G

参数属性

DTA123EM3T5G 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

功能描述

Digital Transistors (BRT)
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

封装外壳

SOT-723

文件大小

176.35 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-5-28 20:03:00

人工找货

DTA123EM3T5G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DTA123EM3T5G规格书详情

DTA123EM3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的DTA123EM3T5G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DTA123EM3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    8 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价
ON/安森美
24+
NA/
11250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
ON/安森美
25+
SOT723
8000
原装正品,假一罚十!
询价
onsemi
24+
SOT-723
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON
13+
SOT-723
8000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON
23+
SOT-723
8000
正规渠道,只有原装!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ONSEMI
两年内
N/A
88000
原装现货,实单价格可谈
询价
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
ON/安森美
NA
5398
原装现货支持BOM配单服务
询价