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DTA123EKAT146分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DTA123EKAT146 |
参数属性 | DTA123EKAT146 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
功能描述 | PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
222.89 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | ROHM |
中文名称 | 罗姆 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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DTA123EKAT146规格书详情
特性 Features
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 2.2kΩ
2) Built-in bias resistors enable the configuration of
an inverter circuit without connecting external
input resistors (see inner circuit) .
3) Only the on/off conditions need to be set
for operation, making the circuit design easy.
4) Complementary NPN Types: DTC123E series
Application
INVERTER, INTERFACE, DRIVER
产品属性
- 产品编号:
DTA123EKAT146
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 20mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SMT3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
SOT233L |
7350 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
5543 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOT-23 |
54648 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SMT3 |
32360 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
ROHS |
990000 |
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询价 | ||
ROHM(罗姆) |
2024+ |
SMT3 |
500000 |
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询价 | ||
ROHM/罗姆 |
21+ |
SOT-23 |
21000 |
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询价 | ||
ROHM |
23+ |
SMT3 (SOT-346) (SC-59) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
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ROHM/罗姆 |
21+ |
SC-59-3 |
5940 |
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