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DTA123EET1G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTA123EET1G |
| 参数属性 | DTA123EET1G 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 |
| 功能描述 | Bias Resistor Transistors |
| 封装外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 文件大小 |
108.32 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-23 12:01:00 |
| 人工找货 | DTA123EET1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DTA123EET1G规格书详情
DTA123EET1G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由安森美半导体制造生产的DTA123EET1G晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
产品属性
更多- 产品编号：
DTA123EET1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
8 @ 5mA，10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-75，SOT-416
- 供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
24+ |
SOT523 |
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ROHM/罗姆 |
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20000 |
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