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DSS60601MZ4-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS60601MZ4-13 |
| 参数属性 | DSS60601MZ4-13 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 |
| 功能描述 | LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
119.03 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-13 16:25:00 |
| 人工找货 | DSS60601MZ4-13价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS60601MZ4-13规格书详情
DSS60601MZ4-13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DSS60601MZ4-13晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > 60V
• IC = 6A High Continuous Current
• ICM = 12A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 60mV @ 1A
• Complementary PNP Type: DSS60600MZ4
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
更多- 产品编号：
DSS60601MZ4-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
25+ |
SOT-223 |
34332 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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DIODES |
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DIODES |
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SOT223 |
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DIODES/美台 |
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