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DSS60600MZ4分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DSS60600MZ4

参数属性

DSS60600MZ4 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

105.21 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 9:49:00

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DSS60600MZ4规格书详情

DSS60600MZ4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DSS60600MZ4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• Complementary NPN Type Available (DSS60601MZ4)

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DSS60600MZ4Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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