DSS5220V中文资料PNP, 20V, 2A, SOT563数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DSS5220V |
| 参数属性 | DSS5220V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 2A SOT563 |
| 功能描述 | PNP, 20V, 2A, SOT563 |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-4 18:46:00 |
| 人工找货 | DSS5220V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS5220V规格书详情
简介
DSS5220V属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的DSS5220V晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DSS5220V
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：PNP
- IC (A)
：2
- ICM (A)
：4
- PD (W)
：0.6
- hFE (Min)
：220
- hFE (@ IC) (A)
：0.1
- hFE(Min 2)
：60
- hFE (@ IC2) (A)
：2
- VCE(sat) Max (mV)
：80
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
：0.1/1
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
：455
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
：2/100
- fT (MHz)
：150
- RCE(sat) (mΩ)
：210
- Packages
：SOT563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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