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DSS3515M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DSS3515M
厂商型号

DSS3515M

参数属性

DSS3515M 封装/外壳为3-UFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006

功能描述

15V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

3-UFDFN

文件大小

129.199 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 20:00:00

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DSS3515M规格书详情

Features

• BVCEO > -15V

• IC = -500mA High Collector Current

• ICM = -1A Peak Pulse Current

• PD = 1000mW Power Dissipation

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)

• 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23

• 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile

• Complementary NPN Type DSS2515M

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 产品编号:

    DSS3515MQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    340MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    X1-DFN1006-3

  • 描述:

    SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006

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