DSS3515M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS3515M |
| 参数属性 | DSS3515M 封装/外壳为3-UFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006 |
| 功能描述 | 15V LOW VCE(sat) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-UFDFN |
| 文件大小 |
129.199 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-27 11:48:00 |
| 人工找货 | DSS3515M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS3515M规格书详情
DSS3515M属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DSS3515M晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > -15V
• IC = -500mA High Collector Current
• ICM = -1A Peak Pulse Current
• PD = 1000mW Power Dissipation
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)
• 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23
• 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile
• Complementary NPN Type DSS2515M
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
更多- 产品编号：
DSS3515MQ-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
340MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UFDFN
- 供应商器件封装：
X1-DFN1006-3
- 描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
22+ |
X1DFN10063 |
30000 |
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DIODES |
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