DSS35分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS35 |
| 参数属性 | DSS35 封装/外壳为3-UFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006 |
| 功能描述 | 3.0A 50V Schottky diode |
| 封装外壳 | 3-UFDFN |
| 文件大小 |
330.238 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | SUNMATE electronic Co., LTD |
| 企业简称 |
SUNMATE【森美特】 |
| 中文名称 | 森美特半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 资料整理 | 深圳冠荣电子有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 23:00:00 |
| 人工找货 | DSS35价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
DSS3515MQ-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
340MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UFDFN
- 供应商器件封装：
X1-DFN1006-3
- 描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
3848 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
DFN3(1x0.6) |
7350 |
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询价 | ||
DIODES |
2016+ |
DFN1006-3 |
6000 |
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DIODES |
24+ |
DFN |
80000 |
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DIODES/美台 |
25+ |
DFN |
54648 |
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DIODES/美台 |
24+ |
ROHS |
990000 |
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DIODES/美台 |
2023+ |
DFN |
9750 |
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DIODES |
1434+ |
DFN1006 |
3000 |
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台芯半导体 |
2019 |
SOD-123FL |
50000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 |
