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NTLJD3119C	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJD3119CTAG	文件：173.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET20V/??0V,4.6A/??.1A,uCoolComplementary,2x2mm,WDFNPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJD3119CTAG	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJD3119CTBG	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJD3119CTBG	文件：173.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET20V/??0V,4.6A/??.1A,uCoolComplementary,2x2mm,WDFNPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
OHN3119U	文件：278.72 Kbytes Page：2 Pages	HallogicHallEffectSensorsTypeOHN3119U,OHS3119U Description: TheseHall-effectdevicescontainamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaHallelement,alinearamplifier,athresholdamplifier,andSchmitttriggeronasingleHallogic®siliconchip.Includedon-chipisabandgapvoltageregulatortoallowoperationwithawiderang	Optek OPTEK Technologies	Optek
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OHS3119U	文件：620.38 Kbytes Page：9 Pages	HallogicHall-effectSensors Description: TheseHall-effectdevicescontainamonolithicintegratedcircuitwhichincorporatesaHallelement,alinearamplifier,athresholdamplifier,andSchmitttriggeronasingleHallogic®siliconchip.Includedon-chipisabandgapvoltageregulatortoallowoperationwithawiderang	Optek OPTEK Technologies	Optek
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PIP3119-P	文件：31.53 Kbytes Page：6 Pages	LogiclevelTOPFET DESCRIPTION MonolithictemperatureandoverloadprotectedlogiclevelpowerMOSFETinTOPFET2technologyassembledina3pinplasticpackage. FEATURES ●TrenchMOSoutputstage ●Currentlimiting ●Overloadprotection ●Overtemperatureprotection ●Protectionlatchedresetbyinput ●5Vl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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