DS3065WP中文资料3.3V、8Mb非易失SRAM，带有时钟数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
DS3065WP |
| 参数属性 | DS3065WP 封装/外壳为34-PowerCap™ 模块；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP |
| 功能描述 | 3.3V、8Mb非易失SRAM，带有时钟 |
| 封装外壳 | 34-PowerCap™ 模块 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 11:27:00 |
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DS3065WP规格书详情
描述 Description
DS3065WP由静态RAM、非易失(NV)控制器和实时时钟(RTC)组成。这些组件封装在一个表面贴装基座上，需要随后安装DS9034IPCX+电池帽配件。VCC电源加载至该模块时，由该外部电源为时钟和SRAM供电，并允许修改时钟寄存器和SRAM内容。一旦VCC掉电或超出规定的电压范围，控制器将对存储器内容加以写保护，由电池为时钟和SRAM供电。
特性 Features
• 可回流焊，34引脚PowerCap封装
• 集成RTC
• VCC超出容限时，对时钟和SRAM进行无条件写保护
• VCC电源失效后自动切换到电池供电
• 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
应用 Application
• 数据采集系统
• 工业控制器/PLC
• POS终端/烟雾报警器
• RAID系统和服务器/游戏机
• 路由器/交换机
简介
DS3065WP属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS3065WP存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS3065WP-100IND+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
8Mb（1M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
34-PowerCap™ 模块
- 供应商器件封装：
34-PowerCap 模块
- 描述：
IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M/A-COM |
24+ |
SMD |
5500 |
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询价 | ||
TI/NS |
20+ |
WQFN16 |
33560 |
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询价 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
45700 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Maxim Integrated |
23+ |
34-PowerCap 模块 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
MURATA/村田 |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
M/A-COM |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
21+ |
WQFN16 |
2288 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
