DS3045W中文资料3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟数据手册ADI规格书
DS3045W规格书详情
描述 Description
DS3045W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时，对ML电池进行充电，同时为时钟和SRAM供电，此时允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。一旦VCC掉电或超出容限范围，控制器将对存储器内容加以写保护，并由电池为时钟和SRAM供电。DS3045W还带有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。
特性 Features
• 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
• 内置锂锰电池和充电器
• 集成实时时钟
• VCC超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM
• VCC电源失效后自动切换至电池供电
• 复位输出可用作CPU监控器
• 中断输出可用作CPU看门狗定时器
• 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
应用 Application
• 数据采集系统
• 烟雾报警器
• 游戏机
• 工业控制器
• PLC
• POS终端
• RAID系统和服务器
• 路由器/交换机
简介
DS3045W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS3045W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS3045W-100
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
1Mb（128K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
256-BGA
- 供应商器件封装：
256-BGA（27x27）
- 描述：
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
24+ |
4000 |
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询价 | |||
Dallas |
23+ |
256-BGA |
6672 |
询价 | |||
MURATA |
24+ |
300 |
询价 | ||||
DALLAS |
23+ |
256-BGA |
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询价 | |||
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2023+ |
256-BGA |
50000 |
原装现货 |
询价 |
