DS28E80中文资料耐γ辐射1-Wire存储器数据手册ADI规格书

描述 Description

DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比，DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器，分成8字节大小的存储块，每个存储块可具有写保护，每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码，由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议，在多器件的1-Wire网络中，64位识别码作为节点地址。我们的“安全给药”视频介绍如何利用Maxim安全产品保证远程给药安全。

特性 Features

• 高耐γ辐射能力，允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
• 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
• 可重编程248字节用户存储器


• 较小的存储块大小，用户存储器编程较灵活
• 存储器分为8字节存储块
• 每个存储块可写8次
• 每个存储块均提供用户可编程写保护


• 高级1-Wire协议，将接口减小为单触点
• 紧凑的封装和单IO接口，减小电路板空间，增强可靠性
• 唯一的工厂编程64位识别码
• 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
• 工作范围：3.3V ±10%，-40°C至+ 85°C，读操作；0°C至+50°C，写操作
• IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
• 6引脚TDFN封装

应用 Application

• 鉴定和校准医疗工具/附件
• 医用消费品鉴定

简介

DS28E80属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS28E80存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。