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DS25BR110TSD集成电路（IC）的信号缓冲器、中继器、分离器规格书PDF中文资料

DS25BR110TSD

厂商型号	DS25BR110TSD
参数属性	DS25BR110TSD 封装/外壳为8-WFDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的信号缓冲器、中继器、分离器；DS25BR110TSD应用范围：LVDS；产品描述：IC REDRIVER LVDS 1CH 8WSON
功能描述	3.125 Gbps LVDS Buffer with Transmit Pre-Emphasis and Receive Equalization
封装外壳	8-WFDFN 裸露焊盘
文件大小	449.03 Kbytes
页面数量	14 页
生产厂商	National Semiconductor (TI)
企业简称	NSC【美国国家半导体】
中文名称	美国国家半导体公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-7-4 23:00:00
人工找货	DS25BR110TSD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

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产品属性

产品编号：
DS25BR110TSDX/NOPB
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 信号缓冲器、中继器、分离器
包装：
卷带（TR）
类型：
缓冲器，转接驱动器
应用：
LVDS
输入：
LVDS
输出：
LVDS
数据速率（最大值）：
3.125Gbps
通道数：
1
延迟时间：
350ps
信号调节：
输入均衡
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
电流 - 供电：
35mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-WSON（3x3）
描述：
IC REDRIVER LVDS 1CH 8WSON

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