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DS1345WP-100	文件：249.84 Kbytes Page：12 Pages	3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS1345W3.3V1024kNonvolatileSRAMisa1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1345WP-100-IND	文件：249.84 Kbytes Page：12 Pages	3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS1345W3.3V1024kNonvolatileSRAMisa1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1345WP-100+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1345WP-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1345WP-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
DS1345WP-100
功能描述：
NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

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