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DS1345WP-100IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1345WP-100IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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DS1345WP-100IND

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Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1345WP-100IND+

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Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1345WP-100

文件：249.84 Kbytes

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3.3V1024kNonvolatileSRAMwithBatteryMonitor

DESCRIPTION TheDS1345W3.3V1024kNonvolatileSRAMisa1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

Dallas

产品属性

产品编号：
DS1345WP-100IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-PowerCap™ 模块
供应商器件封装：
34-PowerCap 模块
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

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