1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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3.3V、1024k非易失SRAM，带有电池监测器

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1345W器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。 \n• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态\n• 电池监视器核查剩余电量\n• 100ns的读写存取时间 \n• 没有写次数限制\n• 典型待机电流50µA\n• 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存\n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND\n• PowerCap模块(PCM)封装\n• 表面贴装模块\n• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池 \n• 所有非;

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1024k非易失SRAM，带有电池监测器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1345器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1345器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态\n• 电池监视器核查剩余电量\n• 100ns的读写存取时间 \n• 没有写次数限制\n• 典型待机电流50µA\n• 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存\n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1345Y)或±5% VCC工作范围(DS1345AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND\n• PowerCap模;

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