订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>DS1270AB-70IND>详情
DS1270AB-70IND 集成电路(IC)存储器 DALLAS/亚德诺
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
DS1270AB-70IND
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
NVSRAM
- 技术:
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:
16Mb(2M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
70ns
- 电压 - 供电:
4.75V ~ 5.25V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
36-DIP 模块(0.610",15.49mm)
- 供应商器件封装:
36-EDIP
- 描述:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
供应商
相近型号
- DS1267S-010
- DS1270Y-150
- DS1267E-50-T
- DS1270Y-70
- DS1267E-100N/TR
- DS1270Y-70IND
- DS1267BS-100+T/R
- DS1283S+
- DS1267BS-100+
- DS1284
- DS1267BS-050+TR
- DS1284Q
- DS1267BS-050+
- DS1284QN+
- DS1267BS-010+T/R
- DS1286
- DS1267BS-010+
- DS1286+
- DS1267BE-100+T/R
- DS1287
- DS1267BE-100+
- DS1287A
- DS1267BE-100
- DS12885
- DS1267BE-050+T/R
- DS12885+
- DS1267BE-050+
- DS12885N+
- DS1267BE-010+
- DS12885Q
- DS1267-100
- DS12885Q+
- DS1267-050
- DS12885Q+TIC
- DS1267-010
- DS12885QN+
- DS1265Y-70IND
- DS12885QN+T&R
- DS1265Y-70
- DS12885S
- DS1265Y-100IND
- DS12885S+
- DS1265W-100IND
- DS12885S+T&R
- DS1265AB-70IND
- DS12885SN+T&R
- DS1265AB-100
- DS12885T+
- DS1262S
- DS12887