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DS1245AB-70	文件：221.24 Kbytes Page：12 Pages	1024k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1245AB-70	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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DS1245AB-70IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

产品属性

产品编号：
DS1245AB-70
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
32-EDIP
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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